Транзисторы
Прибор для проверки транзисторов без выпайки из схемы
Опубликовано Rico в 22 Февраль, 2013 - 15:07Прибор, схема которого изображена на рис., позволяет проверять исправность транзисторов типа п-р-п или р-п-р без выпайки из схемы в телевизорах, радиоприемниках и других радиотехнических устройствах. С помощью прибора можно быстро отыскать неисправный транзистор без нарушения печатного монтажа и лакового покрытия схемы.
IGBT транзистор BUP314
Опубликовано Rico в 2 Январь, 2010 - 16:37Особенности:
- Малое прямое падение напряжения
- Высокая скорость переключения
- Низкий остаточный ток
- Отсутствие эффекта защелкивания
- Нормированный лавинные параметры
- Напряжение VCE=1200 V
- Ток IC=52 A
- Корпус TO-218 AB
Транзистор 2Т825, КТ825
Опубликовано Rico в 29 Декабрь, 2009 - 22:44Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.
Транзистор 2Т808А, КТ808А
Опубликовано Rico в 29 Декабрь, 2009 - 22:34Кремниевый меза-планарный n-p-n переключающий мощный транзистор 2Т808А. Климатическое исполнение УХЛ.
Транзистор 2Т903, КТ903
Опубликовано Rico в 29 Декабрь, 2009 - 22:19Кремниевые меза-планарные n-p-n составные транзисторы типов 2Т903А, КТ903Б в металло-стеклянном корпусе предназначенные для работы схемах высокочастотных генераторов и усилителей. Масса не более 24 грамма.
BC846PN - NPN и PNP транзистор в SMD корпусе
Опубликовано Rico в 29 Декабрь, 2009 - 22:07Особенности:
- Подходит для построения входных усилительных каскадов
- Высокий коэффициент усиления по току
- Низкий ток утечки
- Два гальванически изолированных NPN/PNP транзистора в одном корпусе SMD
PN3645 - PNP транзистор общего назначения
Опубликовано Rico в 29 Декабрь, 2009 - 21:54PNP транзистор общего назначения производства фирмы Fairchild Semiconductor служит для построения усилителных каскадов и схем коммутации с током коллектора до 500 мА. Выпускается в корпусе TO-92.
IGBT транзисторы
Опубликовано Rico в 29 Декабрь, 2009 - 17:10IGBT транзисторы фирмы Infineon выполнены по NPT технологии позволяющей значительно улучшить рабочие характеристики приборов.
IGBT транзисторы выпускаются в корпусах TO-220AB, ТО-218АВ, TO-247AC. Технология EmCon фирмы Infineon позволяет интегрировать в одном корпусе транзистор и быстродействующий обратный диод.
Характеристики биполярного транзистора на высоких частотах
Опубликовано Rico в 8 Октябрь, 2008 - 02:30Частотная характеристика коэффициента усиления по току аналогична характеристике фильтра НЧ 1-го порядка:
где - граничная частота на уровне —3 дБ.
Под подразумевается частота, при которой модуль коэффициента усиления уменьшается до 1 (ее чаще называют «частотой единичного усиления»). Частота единичного усиления определяется сопротивлением rВЕ и диффузионной емкостью СВЕ (рис. 1а):
Схема транзисторного каскада с общей базой (ОБ)
Опубликовано Rico в 5 Октябрь, 2008 - 01:53Усиление по напряжению
Усиление по току
Входное сопротивление
Выходное сопротивление
Схема транзисторного каскада с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)
Опубликовано Rico в 5 Октябрь, 2008 - 01:00Усиление по напряжению
Усиление по току
Входное сопротивление
Выходное сопротивление
,
Схема транзисторного каскада с общим эмиттером (ОЭ)
Опубликовано Rico в 4 Октябрь, 2008 - 23:43Усиление по напряжению
Усиление по току
Входное сопротивление
Выходное сопротивление
Усиление по напряжению vu пропорционально падению постоянного напряжения UL на сопротивлении, а не самому сопротивлению RL.
Режим малого сигнала биполярного транзистора на низких частотах
Опубликовано Rico в 4 Октябрь, 2008 - 22:12Для анализа свойств транзисторов при передаче малых сигналов их нелинейные характеристики аппроксимируются линейными участками касательной в рабочей точке, т.е. транзистор принимается за линейный элемент. Эквивалентная схема замещения транзистора при этом справедлива лишь для случаев, когда напряжение сигнала изменяется относительно рабочей точки (постоянного тока) в небольших пределах. Эквивалентная схема замещения транзистора при передаче малых сигналов низких частот (примерно до половины граничной частоты единичного усиления) приведена на рис. 1а.
Выбор рабочей точки биполярного транзистора
Опубликовано Rico в 4 Октябрь, 2008 - 21:36Для выбора рабочей точки используют большую крутизну характеристики перехода база-эмиттер. В первом приближении можно считать напряжение UBE постоянным и не зависящим от частоты UBE = Uпот (Uпот — 0,65 В-для кремниевых транзисторов и 0,3 В-для германиевых). Принимается также, что ток коллектора IC не зависит от напряжения перехода коллектор-эмиттер UCE. Напряжение на базе UB устанавливается с помощью низкоомного делителя напряжения.
Режим сильного сигнала биполярного транзистора
Опубликовано Rico в 4 Октябрь, 2008 - 18:53Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора по Эберсу-Моллю приведена на рис. 1. В режиме больших токов следует предусмотреть дополнительные сопротивления RB' RE' RC в выводах базы, эмиттера и коллектора. В таком виде модель справедлива для стационарного режима, т. е. при работе транзистора на низких и средних частотах, когда всевозможными частотнозависимыми эффектами пренебрегают.
Биполярный транзистор
Опубликовано Rico в 4 Октябрь, 2008 - 17:53Биполярный транзистор представляет собой один из основных элементов современных усилителей. Ток в транзисторе создается переносом носителей зарядов в зоне базы и управляется приложенным к базе напряжением. По типу материала полупроводникового кристалла различают германиевые, арсенид-галлиевые и кремниевые транзисторы. Последние распространены наиболее широко. По типу примеси зон кристалла различают транзисторы типа npn и pnp.
Справочное руководство по звуковой схемотехнике
П. Шкритек пер. И. Д. Гурвица
