Транзисторы

Прибор, схема которого изображена на рис., позволяет проверять исправность транзисторов типа п-р-п или р-п-р без выпайки из схемы в телевизорах, радиоприемниках и других радиотехнических устройствах. С помощью прибора можно быстро отыскать неисправный транзистор без нарушения печатного монтажа и лакового покрытия схемы.

Особенности:

• Малое прямое падение напряжения
• Высокая скорость переключения
• Низкий остаточный ток
• Отсутствие эффекта защелкивания
• Нормированный лавинные параметры
• Напряжение VCE=1200 V
• Ток IC=52 A
• Корпус TO-218 AB

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Кремниевый меза-планарный n-p-n переключающий мощный транзистор 2Т808А. Климатическое исполнение УХЛ.

Кремниевые меза-планарные n-p-n составные транзисторы типов 2Т903А, КТ903Б в металло-стеклянном корпусе предназначенные для работы схемах высокочастотных генераторов и усилителей. Масса не более 24 грамма.

Особенности:

• Подходит для построения входных усилительных каскадов
• Высокий коэффициент усиления по току
• Низкий ток утечки
• Два гальванически изолированных NPN/PNP транзистора в одном корпусе SMD

PNP транзистор общего назначения производства фирмы Fairchild Semiconductor служит для построения усилителных каскадов и схем коммутации с током коллектора до 500 мА. Выпускается в корпусе TO-92.

IGBT транзисторы фирмы Infineon выполнены по NPT технологии позволяющей значительно улучшить рабочие характеристики приборов.
IGBT транзисторы выпускаются в корпусах TO-220AB, ТО-218АВ, TO-247AC. Технология EmCon фирмы Infineon позволяет интегрировать в одном корпусе транзистор и быстродействующий обратный диод.

Частотная характеристика коэффициента усиления по току аналогична характеристике фильтра НЧ 1-го порядка:

где - граничная частота на уровне —3 дБ.
Под подразумевается частота, при которой модуль коэффициента усиления уменьшается до 1 (ее чаще называют «частотой единичного усиления»). Частота единичного усиления определяется сопротивлением r_ВЕ и диффузионной емкостью С_ВЕ (рис. 1а):

Усиление по напряжению

Усиление по току

Входное сопротивление

Выходное сопротивление

Усиление по напряжению

Усиление по току

Входное сопротивление

Выходное сопротивление

,

Усиление по напряжению

Усиление по току

Входное сопротивление

Выходное сопротивление

Усиление по напряжению vu пропорционально падению постоянного напряжения U_L на сопротивлении, а не самому сопротивлению R_L.

Для анализа свойств транзисторов при передаче малых сигналов их нелинейные характеристики аппроксимируются линейными участками касательной в рабочей точке, т.е. транзистор принимается за линейный элемент. Эквивалентная схема замещения транзистора при этом справедлива лишь для случаев, когда напряжение сигнала изменяется относительно рабочей точки (постоянного тока) в небольших пределах. Эквивалентная схема замещения транзистора при передаче малых сигналов низких частот (примерно до половины граничной частоты единичного усиления) приведена на рис. 1а.

Для выбора рабочей точки используют большую крутизну характеристики перехода база-эмиттер. В первом приближении можно считать напряжение U_BE постоянным и не зависящим от частоты U_BE = U_пот (U_пот — 0,65 В-для кремниевых транзисторов и 0,3 В-для германиевых). Принимается также, что ток коллектора I_C не зависит от напряжения перехода коллектор-эмиттер U_CE. Напряжение на базе U_B устанавливается с помощью низкоомного делителя напряжения.

Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора по Эберсу-Моллю приведена на рис. 1. В режиме больших токов следует предусмотреть дополнительные сопротивления R_B' R_E' R_C в выводах базы, эмиттера и коллектора. В таком виде модель справедлива для стационарного режима, т. е. при работе транзистора на низких и средних частотах, когда всевозможными частотнозависимыми эффектами пренебрегают.

Биполярный транзистор представляет собой один из основных элементов современных усилителей. Ток в транзисторе создается переносом носителей зарядов в зоне базы и управляется приложенным к базе напряжением. По типу материала полупроводникового кристалла различают германиевые, арсенид-галлиевые и кремниевые транзисторы. Последние распространены наиболее широко. По типу примеси зон кристалла различают транзисторы типа npn и pnp.

Справочное руководство по звуковой схемотехнике
П. Шкритек пер. И. Д. Гурвица