IGBT

IGBT транзистор BUP314

Опубликовано Rico в 2 Январь, 2010 - 16:37

Особенности:

  • Малое прямое падение напряжения
  • Высокая скорость переключения
  • Низкий остаточный ток
  • Отсутствие эффекта защелкивания
  • Нормированный лавинные параметры
  • Напряжение VCE=1200 V
  • Ток IC=52 A
  • Корпус TO-218 AB
»
Синдикация материалов

Добавить закладку в Google