Звукотехника

AN7169 - двухканальный усилитель мощности 5.8W, с высокой стабильностью при эксплуатации, низким уровнем шумов и низкой мощностью рассеивания. Компактный корпус 12-pi SIL с высокой степенью интеграции, и небольшим количеством внешних элементов. Защита от перегрева, короткого замыкания и перенапряжения.
Особенности:

• Высокая стабильность при эксплуатации
• Низкий уровень искажений
• Низкий рабочиий ток
• Низкий уровень шумов
• Малые помехи при включении-выключении
• Режим muting
• Минимальное количество внешних компонентов
• Защита от перегрева, короткого замыкания и перенапряжения

TDA7384A представляет собой четырехканальный усилитель мощности ЗЧ, работающий в режиме AB, с максимальной выходной мощностью до 4x40 Вт при нагрузке 4 Ом. Выпускается в пластмассовом корпусе Flexiwatt 25. Для построения четырехканального усилителя требуется минимум внешних элементов, а благодаря построению выходных ступеней усилителя по мостовой схеме нет необходимости в разделительных конденсаторах. В усилителе реализована функция бесшумного выключения выходного сигнала ("Mute") и переход в ждущий режим ("Stand-By").

Фильтры Баттерворта обеспечивают максимальную равномерность АЧХ, а фильтры Басселя - линейную фазовую характеристику. Поскольку коэффициенты Басселя для фильтров вторго порядка весьма близки, в промышленных и любительских конструкциях нередко используют равнокомпонентные фильтры. Они более технологичны, но их АЧХ имеет неравномерность в районе частоты среза. В качестве усилительных элементов можно использовать любые ОУ, включенные повторителями и скоректированными для единичного усиления. Приоднополярном питании необходимо обеспечить режим ОУ по постоянному току Uпит/2. Возможно также использование эмиттерных и истоковых повторителей.

Схема выполнена на интегральной микросхеме TDA1029, представляющей собой электронный переключатель, который коммутирует четыре стереовхода и один стереовыход. Принципиальная схема модуля приведена на рис.1. Модуль имеет пять стереовходов и один выход. Сигналы, подаваемые на вход IN1, поступают непосредственно на вход микросхемы, что обеспечивает возможность использовать ее полный частотный диапазон, превышающий 1 МГц.

В основе устройства - интегральная микросхема фирмы Samsung KA2281 (двухканальный пятиразрядный усилитель индикации с логарифмической шкалой). Отличается данное включение микросхемы от типового, только введением дополнительных светодиодов D11 и D12, которые загораются сразу при включении устройства и индицируют готовность к работе.

Серия К171 представляет собой комплект ИМС, предназначенных для аппаратуры радиосвязи и радиоэлектронной техники. Микросхемы

Серия К157 представляет собой функционально сопряженные между собой ИМС, предназначенные для построения функциональных узлов радиовещательных приемников и магнитол. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом.Состав серииК157ХА1А,Б - усилитель высокой частоты с преобразователем К157ХА2 - усилитель промежуточной частоты с автоматической регулировкой усиления Микросхемы выпускаются в прямоугольных полимерных корпусах 201.14 -1 с перпендикулярным расположением выводов.

Усиление по напряжению

Усиление по току

Входное сопротивление

Выходное сопротивление

Усиление по напряжению

Усиление по току

Входное сопротивление

Выходное сопротивление

,

Усиление по напряжению

Усиление по току

Входное сопротивление

Выходное сопротивление

Усиление по напряжению vu пропорционально падению постоянного напряжения U_L на сопротивлении, а не самому сопротивлению R_L.

Для анализа свойств транзисторов при передаче малых сигналов их нелинейные характеристики аппроксимируются линейными участками касательной в рабочей точке, т.е. транзистор принимается за линейный элемент. Эквивалентная схема замещения транзистора при этом справедлива лишь для случаев, когда напряжение сигнала изменяется относительно рабочей точки (постоянного тока) в небольших пределах. Эквивалентная схема замещения транзистора при передаче малых сигналов низких частот (примерно до половины граничной частоты единичного усиления) приведена на рис. 1а.

Для выбора рабочей точки используют большую крутизну характеристики перехода база-эмиттер. В первом приближении можно считать напряжение U_BE постоянным и не зависящим от частоты U_BE = U_пот (U_пот — 0,65 В-для кремниевых транзисторов и 0,3 В-для германиевых). Принимается также, что ток коллектора I_C не зависит от напряжения перехода коллектор-эмиттер U_CE. Напряжение на базе U_B устанавливается с помощью низкоомного делителя напряжения.

Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора по Эберсу-Моллю приведена на рис. 1. В режиме больших токов следует предусмотреть дополнительные сопротивления R_B' R_E' R_C в выводах базы, эмиттера и коллектора. В таком виде модель справедлива для стационарного режима, т. е. при работе транзистора на низких и средних частотах, когда всевозможными частотнозависимыми эффектами пренебрегают.

Биполярный транзистор представляет собой один из основных элементов современных усилителей. Ток в транзисторе создается переносом носителей зарядов в зоне базы и управляется приложенным к базе напряжением. По типу материала полупроводникового кристалла различают германиевые, арсенид-галлиевые и кремниевые транзисторы. Последние распространены наиболее широко. По типу примеси зон кристалла различают транзисторы типа npn и pnp.

Справочное руководство по звуковой схемотехнике
П. Шкритек пер. И. Д. Гурвица

Критичными в отношении нелинейных искажений являются такие конденсаторы, емкость которых изменяется с изменением приложенного напряжения. К ним относятся прежде всего полярные электролитические конденсаторы, работающие с напряжением смещения. Искажения в танталовых конденсаторах при недостаточном смещении достигают 1 %. Существуют электролитические конденсаторы с обкладками из алюминиевой фольги и твердым электролитом. В них искажения составляют примерно 0,01%.

Углеродистые резисторы обладают свойством детектирования. Возникающие в них нелинейные искажения не превышают 0,1%, но увеличиваются с нагрузкой. Свойства металлизированных тонкопленочных резисторов в этом отношении более благоприятны.

Справочное руководство по звуковой схемотехнике
П. Шкритек пер. И. Д. Гурвица